BLF6G20-230PRN,118
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NXP BLF6G20-230PRN,118

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型号

BLF6G20-230PRN,118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLF6G20-230PRN,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Pwr Ldmos SOT539A

起订量

1最小包装量--

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BLF6G20-230PRN,118
BLF6G20-230PRN,118 NXP Transistor Pwr Ldmos SOT539A

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BLF6G20-230PRN,118详情

NXP BLF6G20-230PRN,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    5

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    65 V

  • Part Package Code

    SOT

  • Risk Rank

    5.84

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Manufacturer Part Number

    BLF6G20-230PRN,118

  • Rohs Code

  • Manufacturer Package Code

    SOT539A

  • 系列

    pushPIN™

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 类型

    顶部安装

  • 最高工作温度

    150 °C

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    1.88 GHz

  • 引脚数量

    2

  • Brand Name

    恩智浦半导体

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.590 (15.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    20.35°C/W @ 100 LFM

  • 元素配置

    Dual

  • 输出功率

    65 W

  • 测试电流

    2 A

  • 漏源电压 (Vdss)

    65 V

  • 连续放电电流(ID)

    30 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    13 V

  • 增益

    17.5 dB

  • 漏源击穿电压

    65 V

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 源Url状态检查日期

    2013-06-14 00:00:00

  • 测试电压

    28 V

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    0.984 (25.00mm)

  • 长度

    0.984 (25.00mm)

  • 直径

    --

0个相似型号

BLF6G20-230PRN,118拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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