NXP Semiconductors BLF248,112

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Channel Mode

Enhancement

ECCN (US)

EAR99

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

150@10V

Maximum Continuous Drain Current (A)

25

Maximum VSWR

50

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Drain Source Voltage (V)

65

Number of Elements per Chip

2

Package Height

5.77(Max)

Mounting

Screw

Military

无

Supplier Package

CDFM

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Typical Drain Efficiency (%)

67

Minimum Frequency (MHz)

10

Maximum Frequency (MHz)

225

Typical Power Gain (dB)

13

Output Power (W)

300

Maximum Power Dissipation (mW)

500000

Typical Output Capacitance @ Vds (pF)

360@28V

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

46@28V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

500@28V

Package Width

10.29(Max)

Package Length

34.17(Max)

PCB changed

5

Voltage, Rating

65 V

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Manufacturer Package Code

SOT262A1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

BLF248,112

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.75

Part Package Code

DFM

Drain Current-Max (ID)

25 A

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

500 W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

25 A

频率

225 MHz

引脚数量

5

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

Brand Name

恩智浦半导体

配置

双共源

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500 W

箱体转运

SOURCE

输出功率

300 W

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

25 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

10 dB

最高频率

225 MHz

最大输出功率

300 W

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

漏源击穿电压

65 V

输入电容

500 pF

DS 击穿电压-最小值

65 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

500 W

漏源电阻

150 mΩ

最高频段

甚高频段

操作方式

AB类

测试电压

28 V

最小击穿电压

65 V

环境耗散-最大值

500 W

功率增益-最小值(Gp)

10 dB

宽度

10.29 mm

高度

5.77 mm

长度

34.17 mm

RoHS状态

供应商未确认

无铅

无铅