BLF645,112
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NXP Semiconductors BLF645,112

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型号

BLF645,112

utmel 编号

1786-BLF645,112

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF FET N-CH 65V 32A 5-Pin LDMOST Bulk

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BLF645,112
BLF645,112 NXP Semiconductors Trans RF FET N-CH 65V 32A 5-Pin LDMOST Bulk

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BLF645,112详情

NXP Semiconductors BLF645,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 底架

    Screw

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    5

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • ECCN (US)

    EAR99

  • HTS

    8541.29.00.95

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Number of Elements per Chip

    2

  • Process Technology

    LDMOS

  • Maximum Drain Source Voltage (V)

    65

  • Maximum Gate Source Voltage (V)

    11

  • Maximum VSWR

    10

  • Maximum Continuous Drain Current (A)

    32

  • Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

    220(Typ)@6.15V

  • Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

    69@32V

  • Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

    1.2@32V

  • Typical Output Capacitance @ Vds (pF)

    25@32V

  • Typical Forward Transconductance (S)

    6.4

  • Output Power (W)

    100(Typ)

  • Typical Power Gain (dB)

    18

  • Maximum Frequency (MHz)

    1300

  • Minimum Frequency (MHz)

    1

  • Typical Drain Efficiency (%)

    56

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -65

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    200

  • Supplier Package

    LDMOST

  • Military

  • Mounting

    Screw

  • Package Height

    5.77(Max)

  • Package Length

    34.16(Max)

  • Package Width

    10.91(Max)

  • PCB changed

    5

  • Voltage, Rating

    65 V

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BLF645,112

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Ampleon

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    AMPLEON NETHERLANDS B V

  • Risk Rank

    4.73

  • Drain Current-Max (ID)

    32 A

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    NRND

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    200 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    32 A

  • 频率

    1.3 GHz

  • 引脚数量

    5

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 配置

    双共源

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 输出功率

    100 W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 测试电流

    900 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    65 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    32 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    11 V

  • 增益

    18 dB

  • 最高频率

    1.3 GHz

  • 最大输出功率

    100 W

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 信道型

    N

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    220 mΩ

  • 最高频段

    L带

  • 操作方式

    CW Class-AB|2-Tone Class-AB

  • 测试电压

    32 V

  • 最小击穿电压

    32 V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors BLF645,112.

BLF645,112拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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