参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
26 Weeks
底架
Screw
表面安装
YES
引脚数
5
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.29.00.95
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Process Technology
LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V)
65
Maximum Gate Source Voltage (V)
11
Maximum VSWR
10
Maximum Continuous Drain Current (A)
32
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
220(Typ)@6.15V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
69@32V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
1.2@32V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF)
25@32V
Typical Forward Transconductance (S)
6.4
Output Power (W)
100(Typ)
Typical Power Gain (dB)
18
Maximum Frequency (MHz)
1300
Minimum Frequency (MHz)
1
Typical Drain Efficiency (%)
56
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
200
Supplier Package
LDMOST
Military
无
Mounting
Screw
Package Height
5.77(Max)
Package Length
34.16(Max)
Package Width
10.91(Max)
PCB changed
5
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF645,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
4.73
Drain Current-Max (ID)
32 A
包装
Bulk
零件状态
NRND
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
额定电流
32 A
频率
1.3 GHz
引脚数量
5
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFM-F4
配置
双共源
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
100 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
900 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
32 A
栅极至源极电压(Vgs)
11 V
增益
18 dB
最高频率
1.3 GHz
最大输出功率
100 W
DS 击穿电压-最小值
65 V
信道型
N
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
220 mΩ
最高频段
L带
操作方式
CW Class-AB|2-Tone Class-AB
测试电压
32 V
最小击穿电压
32 V
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
无铅