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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 A2I20H060GNR1
A2I20H060GNR1
A2I20H060GNR1

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NXP USA Inc. A2I20H060GNR1

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型号

A2I20H060GNR1

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-A2I20H060GNR1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-270-14 Variant, Gull Wing

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Amplifier BL RF

起订量

--最小包装量--

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A2I20H060GNR1
A2I20H060GNR1 NXP USA Inc. RF Amplifier BL RF

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A2I20H060GNR1详情

技术参数

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NXP USA Inc. A2I20H060GNR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-270-14 Variant, Gull Wing

  • Voltage Rated

    65V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 频率

    1.84GHz

  • 测试电流

    24mA

  • 晶体管类型

    LDMOS (Dual)

  • 增益

    28.9dB

  • 功率 - 输出

    12W

  • 电压-测试

    28V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. A2I20H060GNR1.

A2I20H060GNR1拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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