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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥426.589297
10
¥402.442733
100
¥379.662956
500
¥358.1726
1000
¥337.898679
NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3
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- 对比
A2T18S262W12NR3
1786-A2T18S262W12NR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
OM-880X-2L2L
大陆
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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¥
总价: ¥
A2T18S262W12NR3详情
NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
OM-880X-2L2L
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
额定电流
10μA
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
1.805GHz~1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
测试电流
1.6A
晶体管类型
LDMOS
增益
19.3dB
功率 - 输出
231W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2T18S262W12NR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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