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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3

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NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3

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型号

A2T18S262W12NR3

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-A2T18S262W12NR3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

OM-880X-2L2L

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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--最小包装量--

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A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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A2T18S262W12NR3详情

技术参数

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NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    OM-880X-2L2L

  • Voltage Rated

    65V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 额定电流

    10μA

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    1.805GHz~1.88GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 测试电流

    1.6A

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    19.3dB

  • 功率 - 输出

    231W

  • 电压-测试

    28V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3.

A2T18S262W12NR3拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MRF8S9200NR3

型号：MRF8S9200NR3

封装：OM-780-2

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型号：MW6S004NT1

封装：PLD-1.5

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封装：TO-270AA

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型号：AFT09MS015NT1

封装：PLD-1.5W

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MRFE6VP100HR5

型号：MRFE6VP100HR5

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型号：MRFE6VP6300HR5

封装：NI780-4

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