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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 A2T21H450W19SR6
A2T21H450W19SR6
A2T21H450W19SR6

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NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6

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型号

A2T21H450W19SR6

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-A2T21H450W19SR6

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

NI-1230S-4S4S

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S

起订量

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A2T21H450W19SR6
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S

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A2T21H450W19SR6详情

技术参数

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NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    NI-1230S-4S4S

  • Voltage Rated

    65V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 额定电流

    10μA

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 频率

    2.11GHz~2.2GHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 测试电流

    800mA

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    15.7dB

  • 功率 - 输出

    390W

  • 电压-测试

    30V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6.

A2T21H450W19SR6拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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