NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3
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A3G26H200W17SR3
1786-A3G26H200W17SR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4S2S
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A3G26H200W17SR3详情
NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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包装/外壳
NI-780S-4S2S
供应商器件包装
NI-780S-4S2S
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
Voltage Rated
125 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
250
Part # Aliases
935397341128
Manufacturer
NXP
Brand
恩智浦半导体
RoHS
Details
包装
Reel
类型
射频功率MOSFET
子类别
MOSFETs
额定电流
-
技术
GaN-on-Si
频率
2.496GHz ~ 2.69GHz
测试电流
120 mA
产品类别
射频MOSFET晶体管
晶体管类型
-
增益
14.2dB
功率 - 输出
34W
噪声图
-
电压-测试
48 V
产品类别
射频MOSFET晶体管
A3G26H200W17SR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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