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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 A3G26H200W17SR3
A3G26H200W17SR3
A3G26H200W17SR3

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NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3

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型号

A3G26H200W17SR3

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-A3G26H200W17SR3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

NI-780S-4S2S

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

起订量

1最小包装量--

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A3G26H200W17SR3
A3G26H200W17SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

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A3G26H200W17SR3详情

技术参数

NXP USA Inc. A3G26H200W17SR3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    NI-780S-4S2S

  • 供应商器件包装

    NI-780S-4S2S

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    125 V

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    250

  • Part # Aliases

    935397341128

  • Manufacturer

    NXP

  • Brand

    恩智浦半导体

  • RoHS

    Details

  • 包装

    Reel

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 额定电流

    -

  • 技术

    GaN-on-Si

  • 频率

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 测试电流

    120 mA

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 晶体管类型

    -

  • 增益

    14.2dB

  • 功率 - 输出

    34W

  • 噪声图

    -

  • 电压-测试

    48 V

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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