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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 A3I25D080NR1
A3I25D080NR1
A3I25D080NR1

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NXP USA Inc. A3I25D080NR1

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  • 对比

型号

A3I25D080NR1

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-A3I25D080NR1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-270-17 Variant, Flat Leads

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE

起订量

--最小包装量--

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A3I25D080NR1
A3I25D080NR1 NXP USA Inc. AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE

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A3I25D080NR1详情

技术参数

NXP USA Inc. A3I25D080NR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-270-17 Variant, Flat Leads

  • 供应商器件包装

    TO-270WB-17

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    65 V

  • Moisture Sensitive

    有

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    500

  • Part # Aliases

    935411871528

  • Manufacturer

    NXP

  • Brand

    恩智浦半导体

  • RoHS

    Details

  • 系列

    -

  • 包装

    Reel

  • 子类别

    Wireless & RF Integrated Circuits

  • 额定电流

    10μA

  • 频率

    2.3GHz ~ 2.69GHz

  • 测试电流

    175 mA

  • 产品类别

    射频放大器

  • 晶体管类型

    LDMOS (Dual)

  • 增益

    29.2dB

  • 功率 - 输出

    8.3W

  • 噪声图

    -

  • 电压-测试

    28 V

  • 产品类别

    射频放大器

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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型号：MRF8S9200NR3

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