NXP USA Inc. AFT27S006NT1
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AFT27S006NT1
1786-AFT27S006NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5W
大陆
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FET RF NCH 65V 2690MHZ PLD1.5W
--最小包装量--
AFT27S006NT1详情
NXP USA Inc. AFT27S006NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5W
表面安装
YES
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
Voltage Rated
65V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
频率
2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDFM-F2
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
70mA
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
22dB
功率 - 输出
28.8dBm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
环境耗散-最大值
1.5W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AFT27S006NT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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