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1

￥24050.463761
10

￥23259.63613
25

￥23097.95048
50

￥22937.388755
100

￥22465.610929
500

￥20859.434472

NXP USA Inc. AFV121KHR5

Name: AFV121KHR5
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 1786-AFV121KHR5
Price: 24050.46 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AFV121KHR5

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-AFV121KHR5

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

SOT-979A

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MH , 1000 W PEAK, 50 V

起订量

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AFV121KHR5 NXP USA Inc. BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MH , 1000 W PEAK, 50 V

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AFV121KHR5详情

技术参数

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NXP USA Inc. AFV121KHR5重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

SOT-979A
表面安装

YES
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

2
Voltage Rated

112V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2015
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

不适用
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

960MHz~1.22GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

R-CDFM-F4
配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
测试电流

100mA
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
晶体管类型

LDMOS (Dual)
增益

19.6dB
DS 击穿电压-最小值

112V
功率 - 输出

1000W
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试

50V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. AFV121KHR5.

数据表 :
AFV121KH(S), AFV121KGS
环境信息 :
NXP RoHS3 Cert

AFV121KHR5拓展信息

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