NXP USA Inc. BUK9E1R9-40E,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

已出版

2013

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.00193Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1228A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

1008 mJ

最大耗散功率(Abs)

349W

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant