NXP USA Inc. MRF1518NT1

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

PLD-1.5

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Voltage Rated

40V

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

额定电流

4A

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

520MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRF1518

JESD-30代码

R-PQSO-N4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

150mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

13dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

DS 击穿电压-最小值

40V

功率 - 输出

8W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

62.5W

电压-测试

12.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant