NXP USA Inc. MRF6S21190HSR3
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MRF6S21190HSR3
1786-MRF6S21190HSR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-880S
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Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R
1最小包装量--
MRF6S21190HSR3详情
NXP USA Inc. MRF6S21190HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
NI-880S
Voltage Rated
68V
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
2.11GHz~2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MRF6S21190
测试电流
1.6A
晶体管类型
LDMOS
增益
16dB
功率 - 输出
54W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6S21190HSR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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