NXP USA Inc. MRF6V10010NR4

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

PLD-1.5

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

Voltage Rated

100V

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

频率

1.09GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRF6V10010

JESD-30代码

R-PQCC-N4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

10mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

25dB

DS 击穿电压-最小值

100V

功率 - 输出

10W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant