NXP USA Inc. MW6S010NR1
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MW6S010NR1
1786-MW6S010NR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-270AA
大陆
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FET RF 68V 960MHZ TO270-2
--最小包装量--
MW6S010NR1详情
NXP USA Inc. MW6S010NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
TO-270AA
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
68V
Operating Temperature (Max.)
225°C
Number of Elements
1
Usage Level
Military grade
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
频率
960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MW6S010
JESD-30代码
R-PDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
125mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
18dB
DS 击穿电压-最小值
68V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
61.4W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MW6S010NR1拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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