MW6S010NR1
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NXP USA Inc. MW6S010NR1

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型号

MW6S010NR1

utmel 编号

1786-MW6S010NR1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

TO-270AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FET RF 68V 960MHZ TO270-2

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MW6S010NR1
MW6S010NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 960MHZ TO270-2

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MW6S010NR1详情

NXP USA Inc. MW6S010NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    TO-270AA

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage Rated

    68V

  • Operating Temperature (Max.)

    225°C

  • Number of Elements

    1

  • Usage Level

    Military grade

  • 已出版

    2009

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    960MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MW6S010

  • JESD-30代码

    R-PDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    125mA

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    18dB

  • DS 击穿电压-最小值

    68V

  • 功率 - 输出

    10W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    61.4W

  • 电压-测试

    28V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. MW6S010NR1.

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右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & MW6S010NR1相似的参数规格。

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MW6S010NR1拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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