NXP USA Inc. MRF6VP121KHR5

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

NI-1230

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

200°C

Voltage Rated

110V

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

1.03GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRF6VP121

JESD-30代码

R-CDFM-F4

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

150mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS (Dual)

增益

20dB

DS 击穿电压-最小值

110V

功率 - 输出

1000W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant