NXP USA Inc. MRF6VP3450HR6
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MRF6VP3450HR6
1786-MRF6VP3450HR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230
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Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R
1最小包装量--
MRF6VP3450HR6详情
NXP USA Inc. MRF6VP3450HR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
225°C
Voltage Rated
110V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
860MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6VP3450
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.4A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
22.5dB
DS 击穿电压-最小值
110V
功率 - 输出
90W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6VP3450HR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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