NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3
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MRF8P23080HSR3
1786-MRF8P23080HSR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R
1最小包装量--
MRF8P23080HSR3详情
NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
NI-780S-4
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Voltage Rated
65V
Operating Temperature (Max.)
225°C
已出版
2010
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
2.3GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8P23080
JESD-30代码
R-CDFP-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
280mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
14.6dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
16W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8P23080HSR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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