NXP USA Inc. MRF8P29300HR6
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MRF8P29300HR6
1786-MRF8P29300HR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230
大陆
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RF MOSFET Transistors HV8 300W 50V NI1230
--最小包装量--
MRF8P29300HR6详情
NXP USA Inc. MRF8P29300HR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
225°C
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
2.9GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF8P29300
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
100mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
13.3dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
320W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF8P29300HR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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