NXP USA Inc. MRF8S19260HSR6

包装/外壳

SOT-1110B

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

225°C

Voltage Rated

65V

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

1.99GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MRF8S19260

JESD-30代码

R-CQFP-F8

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

测试电流

1.6A

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS (Dual)

增益

18.2dB

DS 击穿电压-最小值

65V

功率 - 输出

74W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant