登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF列表

PDF文档列表

免费送样

NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HR5

收藏
对比

型号

MRFE6VP61K25HR5

品牌

utmel 编号

1786-MRFE6VP61K25HR5

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

NI-1230

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表

MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H

请发送询价，我们将立即回复。

库存:512

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

*

验证码

MRFE6VP61K25HR5详情

技术参数

PDF文档

型号对比

NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HR5重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

NI-1230
Operating Temperature (Max.)

225°C
Voltage Rated

133V
Usage Level

Military grade
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

不适用
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

230MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

MRFE6VP61K25
测试电流

100mA
极性/通道类型

N-CHANNEL
晶体管类型

LDMOS (Dual)
增益

24dB
功率 - 输出

1250W
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

1300W
电压-测试

50V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

MRFE6VP61K25HR5拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6

MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z