NXP USA Inc. MRFG35005ANT1
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MRFG35005ANT1
1786-MRFG35005ANT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5
大陆
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Trans JFET 15V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
--最小包装量--
MRFG35005ANT1详情
NXP USA Inc. MRFG35005ANT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PLD-1.5
表面安装
YES
晶体管元件材料
砷化镓
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
85°C
Voltage Rated
15V
Usage Level
Military grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
3.55GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRFG35005
JESD-30代码
R-PQSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
80mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
pHEMT FET
增益
11dB
DS 击穿电压-最小值
15V
功率 - 输出
4.5W
场效应管技术
高电子迁移率
电压-测试
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRFG35005ANT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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