NXP USA Inc. MW6S010GNR1

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-270BA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

225°C

Voltage Rated

68V

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

频率

960MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MW6S010

JESD-30代码

R-PDSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

125mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

18dB

DS 击穿电压-最小值

68V

功率 - 输出

10W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

61.4W

电压-测试

28V

RoHS状态

ROHS3 Compliant