NXP USA Inc. PHT11N06LT,135

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 8.3W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±13V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

150 pF

关断时间-最大值（toff)

210ns

接通时间-最大值(ton)

125ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant