NXP USA Inc. PMGD175XN,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

390mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

225m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.1nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.225Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.905W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant