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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 PMN49EN,135
PMN49EN,135
PMN49EN,135

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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NXP USA Inc. PMN49EN,135

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型号

PMN49EN,135

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-PMN49EN,135

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

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PMN49EN,135
PMN49EN,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

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PMN49EN,135详情

技术参数

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型号对比

NXP USA Inc. PMN49EN,135重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4.6A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.75W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 已出版

    2007

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 引脚数量

    6

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    47m Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    350pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.8nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 源Url状态检查日期

    2013-06-14 00:00:00

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. PMN49EN,135.

右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & PMN49EN,135相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Power Dissipation-Max
    RoHS Status
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
    Technology
    查看对比:
  • PMN49EN,135

    PMN49EN,135

    NXP USA Inc.

    SC-74, SOT-457

    30V

    4.6A (Tc)

    1.75W (Tc)

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    4.5V, 10V

    MOSFET (Metal Oxide)

  • IRFTS9342TRPBF
    IRFTS9342TRPBF

    Infineon Technologies

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    -

    6.3A (Tc)

    1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    4.5V, 10V

    MOSFET (Metal Oxide)

    PMN49EN,135
    VS
    IRFTS9342TRPBF

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公司资质

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