NXP USA Inc. PMPB20UN,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta 12.5W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

引脚数量

6

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 6.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.1nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant