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价格梯度

内地含税价

1

￥3.105198
10

￥2.929431
100

￥2.763617
500

￥2.607183
1000

￥2.459608

ON Semiconductor 15C01C-TB-E

Name: 15C01C-TB-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-15C01C-TB-E
Price: 3.11 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

15C01C-TB-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-15C01C-TB-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CP

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15C01C-TB-E ON Semiconductor Bipolar Transistor, 15V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single CP

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15C01C-TB-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 15C01C-TB-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

7 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
hFEMin

300
Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V
Power Dissipation (Max)

300mW
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e6
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)
功率 - 最大

300mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

700mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 200mA
频率转换

330MHz
集电极基极电压(VCBO)

20V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor 15C01C-TB-E.

环境信息 :
Material Declaration 15C01C-TB-E
数据表 :
15C01C pid_6309560_15c01c-tb-e-on-semiconductor-datasheet-139009397.pdf

15C01C-TB-E拓展信息

热销零件