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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 15GN01CA-TB-E
15GN01CA-TB-E
15GN01CA-TB-E

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 15GN01CA-TB-E

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型号

15GN01CA-TB-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-15GN01CA-TB-E

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN VHF-UHF HI FREQ CP

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15GN01CA-TB-E
15GN01CA-TB-E ON Semiconductor TRANS NPN VHF-UHF HI FREQ CP

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15GN01CA-TB-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 15GN01CA-TB-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 生命周期状态

    LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 安装类型

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    50mA

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    8V

  • 已出版

    2012

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C TJ

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 频率

    1.5GHz

  • 引脚数量

    3

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    8V

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 10mA 5V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    15V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 15GN01CA-TB-E.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 15GN01CA-TB-E相似的参数规格。

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