ON Semiconductor 2N3663

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

12V

最大功率耗散

350mW

额定电流

50mA

频率

2.1GHz

基本部件号

2N3663

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

2.1 GHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8mA 10V

增益

1.5dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

12V

最高频率

2.1GHz

频率转换

2.1GHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

噪音数字(分贝类型@ f)

6.5dB @ 60MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅