ON Semiconductor 2N5551YBU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-92-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N5551

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2N5551YBU

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.36

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

端子表面处理

未说明

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

功率 - 最大

625 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-92

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

160 V

频率转换

100MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

160 V