ON Semiconductor FGA180N33ATDTU
- 收藏
- 对比
FGA180N33ATDTU
1807-FGA180N33ATDTU
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel
--最小包装量--
FGA180N33ATDTU详情
ON Semiconductor FGA180N33ATDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
101 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
362 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FGA180N33ATDTU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.22
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
180 A
集电极-发射器电压-最大值
330 V
FGA180N33ATDTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。