FGA180N33ATDTU
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ON Semiconductor FGA180N33ATDTU

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型号

FGA180N33ATDTU

utmel 编号

1807-FGA180N33ATDTU

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel

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FGA180N33ATDTU
FGA180N33ATDTU ON Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel

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FGA180N33ATDTU详情

ON Semiconductor FGA180N33ATDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    101 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    362 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    FGA180N33ATDTU

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.22

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    180 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    330 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FGA180N33ATDTU.

FGA180N33ATDTU拓展信息

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