ON Semiconductor PZT2222AT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-223 (TO-261)

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

hFEMin

35

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

40 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

PZT2222

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

包装

卷带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.5 W

额定电流

600 mA

频率

300 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.5 W

功率 - 最大

1.5 W

增益带宽积

300 MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

转换频率

300 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

无铅

含铅