ON Semiconductor NJVMJD45H11RLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

20 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Unit Weight

0.011288 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1800

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

90 MHz

Part # Aliases

NJVMJD45H11RLG-VF01

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

Maximum DC Collector Current

8 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

NJVMJD45

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

90 MHz

Manufacturer Part Number

NJVMJD45H11RLG

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

0.72

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MJD45H11

操作温度

150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1.75 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

频率

85 MHz

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

Brand Name

安森美半导体

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

1.75 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.75 W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

8 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A, 1V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

90 MHz

频率转换

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

-

最大耗散功率(Abs)

20 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

8

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

无铅