ON Semiconductor BCP56-16T1

触点镀层

Lead, Tin

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

25

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

130 MHz

Manufacturer Part Number

BCP56-16T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

8.72

包装

卷带

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

1 A

频率

130 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

电压

80 V

元素配置

Single

电流

1 A

功率耗散

1.5 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

130 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

JEDEC-95代码

TO-261AA

转换频率

130 MHz

最大击穿电压

80 V

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

环境耗散-最大值

1.5 W

无铅

含铅