BC817-25LT1
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ON Semiconductor BC817-25LT1

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型号

BC817-25LT1

utmel 编号

1807-BC817-25LT1

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BC817-25LT1 datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from ON Semiconductor stock available at utmel

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BC817-25LT1 ON Semiconductor

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BC817-25LT1详情

ON Semiconductor BC817-25LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3 (TO-236)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    700 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45 V

  • hFEMin

    160

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rating (DC)

    45 V

  • Manufacturer Lifecycle Status

    OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500 mA

  • Base Product Number

    BC817

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 318-08

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC817-25LT1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.61

  • Part Package Code

    SOT-23

  • 包装

    卷带

  • 操作温度

    -

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    300 mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    500 mA

  • 频率

    100 MHz

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    300 mW

  • 功率 - 最大

    300 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    100 MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45 V

  • 最大集电极电流

    500 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    160 @ 100mA, 1V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    700mV @ 50mA, 500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    45 V

  • 转换频率

    100 MHz

  • 频率转换

    100MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    160

  • 集电极-发射器电压-最大值

    45 V

  • 无铅

    含铅

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技术文档: ON Semiconductor BC817-25LT1.

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