ON Semiconductor 2N5657

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-126

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

hFEMin

25

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

375 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N5657

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 77-09

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Manufacturer Part Number

2N5657

Part Package Code

TO-225AA

Risk Rank

5.19

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

20 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

500 mA

频率

10 MHz

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

20 W

功率 - 最大

20 W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 100mA, 10mV

最大集极截止电流

100µA

JEDEC-95代码

TO-225AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

10V @ 100mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

375 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

5

集电极-发射器电压-最大值

350 V

无铅

含铅