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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.677877
10
¥3.469693
100
¥3.273294
500
¥3.088015
1000
¥2.91322
ON Semiconductor 2SB1274R
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- 对比
2SB1274R
1807-2SB1274R
分立半导体产品
TO-220-3 Full Pack
大陆
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2SB1274R datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from ON Semiconductor stock available at utmel
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¥
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2SB1274R详情
ON Semiconductor 2SB1274R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220ML
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
3 A
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SB1274R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD
Risk Rank
5.64
操作温度
-
系列
-
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
功率 - 最大
2 W
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流
100µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
100MHz
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
80 V
2SB1274R拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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