2SC3651-TD-E
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ON Semiconductor 2SC3651-TD-E

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型号

2SC3651-TD-E

utmel 编号

1807-2SC3651-TD-E

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,200MA I(C),SOT-89

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2SC3651-TD-E
2SC3651-TD-E ON Semiconductor TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,200MA I(C),SOT-89

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2SC3651-TD-E详情

ON Semiconductor 2SC3651-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SC3651-TD-E

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.81

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e6

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 子类别

    其他晶体管

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 配置

    Single

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    500

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2SC3651-TD-E.

2SC3651-TD-E拓展信息

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