ON Semiconductor 2SD1913S

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220ML

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

,

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

2SD1913S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Inchange Semiconductor Company Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

INCHANGE SEMICONDUCTOR CO LTD

Risk Rank

5.6

操作温度

-

系列

-

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

100MHz

最大耗散功率(Abs)

20 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

140

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

1 V

集电极-基极电容-最大值

40 pF

环境耗散-最大值

2 W