ON Semiconductor NJVMJD42CT4G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

DPAK-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

DPAK

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100 V

hFEMin

30

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1.75 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Unit Weight

0.012346 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

3 MHz

Part # Aliases

NJVMJD42CT4G-VF01

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

Maximum DC Collector Current

6 A

DC Current Gain hFE Max

30 at 300 mA, 4 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

6 A

Base Product Number

NJVMJD42

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

,

Moisture Sensitivity Levels

1

Manufacturer Package Code

369C

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Manufacturer Part Number

NJVMJD42CT4G

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

0.84

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MJD42C

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1.75 W

技术

Si

Reach合规守则

not_compliant

频率

3 MHz

引脚数量

3

Brand Name

安森美半导体

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

15

功率 - 最大

1.75 W

增益带宽积

3 MHz

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

6 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 300mA, 4V

最大集极截止电流

50µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 600mA, 6A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

最高频率

1 MHz

转换频率

3

最大击穿电压

100 V

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

20 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

6 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

3

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

长度

6.73 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅