ON Semiconductor BCP53T1

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-80 V

hFEMin

25

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-80 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318E-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

140 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

BCP53T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

7.68

Part Package Code

TO-261AA

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-15 A

频率

50 MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

电压

80 V

元素配置

Single

电流

15 A

功率耗散

1.5 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-80 V

最大集电极电流

1.5 A

JEDEC-95代码

TO-261AA

转换频率

50 MHz

最大击穿电压

80 V

集电极基极电压(VCBO)

-100 V

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

集电极电流-最大值(IC)

1.5 A

最小直流增益（hFE）

40

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

80 V

高度

1.75 mm

无铅

含铅