ON Semiconductor BD237

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFEMin

40

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

3 MHz

Manufacturer Part Number

BD237

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

BD237, NPN Bipolar Transistor, 2 A 80 V HFE:25 3 MHz Power, 3-Pin SOT-32

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Risk Rank

0.73

Part Package Code

SIP

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

25 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

STMicroelectronics

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

JEDEC-95代码

TO-126

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

25 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

80 V

VCEsat-最大值

0.6 V

环境耗散-最大值

25 W