ON Semiconductor BD680A

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-32-3

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100 V

hFEMin

750

RoHS

Non-Compliant

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

625 mW

额定电流

4 A

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

40 W

功率 - 最大

40 W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

最大集极截止电流

500µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.8V @ 40mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

200 MHz

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

4 A