ON Semiconductor BF959RL1G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

35

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BF959

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

700MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

转换频率

700MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最高频段

极高频率 b

噪音数字(分贝类型@ f)

3dB @ 200MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅