ON Semiconductor EC3H02BA-TL-H

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10V

Current-Collector (Ic) (Max)

70mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

100mW

频率

7GHz

配置

Single

功率耗散

100mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

10V

最大集电极电流

70mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 20mA 5V

增益

8.5dB

转换频率

5000MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

噪音数字(分贝类型@ f)

1dB @ 1GHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅