ON Semiconductor EC4H09C-TL-H

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-UFDFN

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

40mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

120mW

频率

2GHz

增益带宽积

26 GHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

3.5V

最大集电极电流

40mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA 1V

增益

15dB

集电极基极电压(VCBO)

10V

发射极基极电压 (VEBO)

2.5V

连续集电极电流

20mA

噪音数字(分贝类型@ f)

1.3dB @ 2GHz

高度

600μm

长度

1mm

宽度

800μm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅