ON Semiconductor ECH8693R-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18.65 μs

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.4W

引脚数量

8

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

545 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 5A, 4.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

525ns

漏源电压 (Vdss)

24V

下降时间（典型值）

22.2 μs

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

12.5V

漏极-源极导通最大电阻

0.0091Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅